RD62D2產(chǎn)品特點及功能介紹：
輸入點數(shù)：16點。
額定輸入電壓、頻率：DC24V。
額定輸入電流：6.0mA。
響應(yīng)時間：5μs～70ms。
公共端方式：8點/公共端（負極公共端）。
中斷功能：有。
外部配線連接方式：18點螺釘端子臺。
輸入模塊為控制系統(tǒng)中使用多的模塊。
可根據(jù)輸入電壓、輸入點數(shù)的不同，選擇適合用戶需求的模塊RD62D2
1個模塊配備多種功能。
可通過單個輸入模塊，以1點為單位設(shè)定高速響應(yīng)、中斷輸入功能。
此外，可按模塊的公共端自由選擇正極公共端/負極公共端。
無需按輸入規(guī)格和功能使用不同的模塊，減少了模塊數(shù)量，
因此插槽占用數(shù)量可比以往減少20%、部署成本可比以往降低60%。運算控制方式：存儲程序反復(fù)運算。
內(nèi)置CC-Link IE。
輸入輸出點數(shù)：4096點。
程序容量：40K。
提高恒定周期中斷程序的速度。
執(zhí)行恒定周期中斷程序的小間隔可縮短到50μs，
可編程控制器可切實讀取更高速的信號。
此外，還可為中斷程序設(shè)定優(yōu)先度，在中斷處理時執(zhí)行優(yōu)先度高的中斷程序。
因此，在高速讀取信號時，也可通過常規(guī)的輸入模塊+CPU模塊的恒定周期中斷程序讀取信號。
便于處理的軟元件/標(biāo)簽區(qū)域
將擴展SRAM卡安裝到可編程控制器CPU模塊上后，
可擴展多 5786K 字的軟元件/標(biāo)簽存儲區(qū)域。
擴展區(qū)域作為與內(nèi)置CPU模塊的存儲器相連的區(qū)域，
可自由分配軟元件/標(biāo)簽等的范圍。
因此，可輕松進行編程，而無需考慮各存儲區(qū)域的邊界。
此外，還可使用SD存儲卡處理記錄的數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)庫數(shù)據(jù)等大容量數(shù)據(jù)。模擬量輸出通道數(shù)：8CH。
精度
環(huán)境溫度25正負5°C：正負0.1% 以內(nèi)。
環(huán)境溫度0～55°C：-。
溫度系數(shù)：正負50ppm/℃。
轉(zhuǎn)換速度：1ms/CH。
通道間緣：隔離變壓器緣。
輸出短路保護：有。
外部供給電源：-。
外部配線連接方式：40針連接器。
電壓輸出
數(shù)字量輸入值：?32000～32000。
模擬量輸出電壓：DC?10～10V。
電流輸出
數(shù)字量輸入值：0～32000。
模擬量輸出電流：DC0～20mA。
高速輸出流暢的模擬量波形。
模擬量輸出模塊具有將任意波形數(shù)據(jù)注冊到模塊中，并根據(jù)設(shè)定的轉(zhuǎn)換周期連續(xù)執(zhí)行模擬量輸出的功能。
執(zhí)行沖壓機和注塑成型機等的模擬量(扭矩)控制時，可自動輸出事先注冊的控制波形，
通過程序進行高速、流暢的控制。此外，僅需事先將波形數(shù)據(jù)注冊到模塊中，
即可輕松控制模擬量波形，因此在進行生產(chǎn)線控制等重復(fù)控制時，
無需使用專用的程序來創(chuàng)建波形，可減少編程工時。
可使用參數(shù)輕松設(shè)定轉(zhuǎn)換運算和比例縮放，無需創(chuàng)建專用的程序。
因此，有助于降低程序的開發(fā)成本并減小程序容量。運算控制方式：存儲程序反復(fù)運算。
內(nèi)置CC-Link IE。
輸入輸出點數(shù)：4096點。
程序容量：1200K。
提高恒定周期中斷程序的速度。
執(zhí)行恒定周期中斷程序的小間隔可縮短到50μs，
可編程控制器可切實讀取更高速的信號。
此外，還可為中斷程序設(shè)定優(yōu)先度，
在中斷處理時執(zhí)行優(yōu)先度高的中斷程序。
因此，在高速讀取信號時，也可通過常規(guī)的輸入模塊+CPU模塊的恒定周期中斷程序讀取信號。
程序容量：1200K。
多1200K步的程序容量。
實現(xiàn)運動控制的多CPU系統(tǒng)。
CPU模塊內(nèi)置2個支持持千兆位的網(wǎng)絡(luò)端口。
便于進行數(shù)據(jù)管理的數(shù)據(jù)庫功能。
內(nèi)置安全功能的擴展SRAM卡。
可進行各種運動動控制(位置、速度、扭矩、同步控制等）。
符合國際安全標(biāo)準(zhǔn)（ ISO 13849-1 PL e、 IEC 61508 SIL 3）的安全CPU。
適合從計算機/微機環(huán)境進行移植的C/C++語言編程。
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