軸數(shù)：1軸/單元。
輸入模式：相位差輸入/指令輸入。
信號(hào)電平：DC5/12/24V。
計(jì)數(shù)速度：無觸點(diǎn)50kcps以下,有觸點(diǎn)30kcps以下。
外部輸出：8點(diǎn)CQM1-CIF01使用方法。
對(duì)增量型旋轉(zhuǎn)編碼器等的高速脈沖輸入進(jìn)行計(jì)數(shù)。
PLC控制器的CPU內(nèi)有指示程序步存儲(chǔ)地址的程序計(jì)數(shù)器，
在程序運(yùn)行過程中，每執(zhí)行一步該計(jì)數(shù)器自動(dòng)加1，
程序從起始步（步序號(hào)為零）起依次執(zhí)行到終步（通常為END指令），
然后再返回起始步循環(huán)運(yùn)算CQM1-CIF01容量：16K字。
在C200HX\C200HG\C200HE CPU內(nèi)安裝EEPROM內(nèi)存卡，
給CPU讀寫程序和I/O數(shù)據(jù)CQM1-CIF01使用方法。
EEPROM內(nèi)存卡不需要任何后備電源，
即使把它從CPU上取下，仍能保持其數(shù)據(jù)。
EEPROM內(nèi)存卡有一個(gè)存儲(chǔ)保護(hù)開關(guān)(SW1)。
ON：EEPROM內(nèi)存卡數(shù)據(jù)受到保護(hù)，禁止寫入。
OFF：數(shù)據(jù)可以寫入EEPROM內(nèi)存卡，出廠前SW1置為OFF，可以寫步。只能用在SYS-MAC-CPT上。
程序容量：63.2K字。
RS-232端口：有。
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(DM)：6K字。
擴(kuò)展數(shù)據(jù)內(nèi)存(EM)：6K字×3（48K字）。
處理時(shí)間(基本指令)：0.1μs。
I/O點(diǎn)數(shù)：1184點(diǎn)。
I/O擴(kuò)展單元的臺(tái)數(shù)：3臺(tái)。
多用單元)CQM1-CIF01使用方法。
總線I/O的可裝載臺(tái)數(shù)：16臺(tái)(1單元占用單元)。
提高可靠性，強(qiáng)化功能走向新一代。
由于生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)愈加復(fù)雜化、高速化，用戶的需求亦日趨多樣化。
為此，須提高C200HG/C200HE/C200HX的基本性能，提高處理速度等。
生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)要求產(chǎn)品上的、高標(biāo)準(zhǔn)，不斷升級(jí)換代！
創(chuàng)對(duì)當(dāng)代制造業(yè)的嚴(yán)格要求激勵(lì)著歐姆龍，
始終以新的產(chǎn)品及科學(xué)觀念投身生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)。內(nèi)存容量：16K字。
時(shí)鐘功能：有。
在需要改變PLC的設(shè)置值來進(jìn)行其它時(shí)，
換一個(gè)內(nèi)存卡并重新啟動(dòng)就可以完成整個(gè)軟件設(shè)置及用戶程序安裝的過程。
用可選的內(nèi)存卡來存儲(chǔ)用戶程序、PLC設(shè)置和以及ROM區(qū)中其它數(shù)據(jù)。
因此重要數(shù)據(jù)不會(huì)由于電池用完或編程/操作錯(cuò)誤而丟失。3槽，可以安裝3個(gè)模塊，不含CPU和電源。
只能用于CS系列PLC的模塊。
兩個(gè)擴(kuò)展裝置系列，長(zhǎng)度多達(dá)50米，適用于長(zhǎng)距離擴(kuò)展，
多可包括72個(gè)單元和7個(gè)裝置。
由于在12m距離內(nèi)具備多達(dá)80個(gè)單元和7個(gè)裝置的擴(kuò)展容量，CS1可滿足大型控制需求。
或者，一個(gè)I/O控制單元和多個(gè)I/O接口單元可用于連接兩個(gè)系列的CSS1長(zhǎng)距離擴(kuò)展裝置
(各延長(zhǎng)多達(dá)50m且共包含多達(dá)722個(gè)元和7個(gè)裝置)CQM1-CIF01CJ2M替換CQM1(H)CQM1-CIF01CJ2M替換CQM1(H)。CS1基本I/O單元、CS1高功能I/O單元和CS1 CPU總線單元可安裝在裝置中的任意位置，
且無需滿足特殊遠(yuǎn)程編程要求即可進(jìn)行編程。
注:C200H單元不能安裝在長(zhǎng)距離擴(kuò)展裝置中。