輸入點數：伺服外部信號32點，8軸。
輸入方式：源型/漏型。
輸入輸出占用點數：32點。
方便處理大容量數據。
以往無法實現標準RAM和SRAM卡文件寄存器區域的連續存取，
在編程時需要考慮各區域的邊界Q2MEM-2MBS使用方法。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴展卡，
可將標準RAM作為一個連續的文件寄存器，
容量多可達4736K字，從而簡化了編程Q2MEM-2MBS
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過安裝擴展SRAM卡，方便地擴展文件寄存器區域。
變址寄存器擴展到了32位，從而使編程也可越了傳統的32K字，
并實現變址修飾擴展到文件寄存器的所有區域Q2MEM-2MBS使用方法。
另外，變址修飾的處理速度對結構化數據（陣列）的運算起著重要作用，
該速度現已得到提高。
當變址修飾用于反復處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時，可縮短掃描時間。三相4線式。
測量電路數：1個電路。
測量項目：耗電量（消耗、再生）、電流、電壓、功率、功率因素等。
可簡單地測量多種能量信息的電能測量模塊產品群。
僅用一個模塊，即可測量與電量（消耗及再生）、無功電量、電流、電壓、功率、功率因數以及頻率有關的各種詳細信息。
無需梯形圖程序即可持續監視小值和大值，亦可執行2種類型的上限/下限報警。量Q2MEM-2MBS使用方法。
在一個插槽中使用3相3線式產品多可測量4個電路，
使用3相4線式產品多可測量3個電路，
因此通過多電路型產品可在較小空間中實施電能測量。
例如，可使用一個模塊測量來自控制面板干線的其他負載。
此外，可使用GX Works2 （ 1.90U版和更高版本），輕松地設置參數。通用型Q系列CPU用存儲卡保護置。
Q3MEM-4MBS-SET/Q3MEM-8MBS-SET捆綁產品。三相4線式。
測量電路數：3個電路。
測量項目：耗電量（消耗、再生）、電流、電壓、功率、功率因素等。
可簡單地測量多種能量信息的電能測量模塊產品群。
僅用一個模塊，即可測量與電量（消耗及再生）、無功電量、電流、電壓、功率、功率因數以及頻率有關的各種詳細信息。
無需梯形圖程序即可持續監視小值和大值，亦可執行2種類型的上限/下限報警。
只有在ON狀態期間，才可測量輸出設備所使用的電量。
因此可獲得設備運行期間的電量以及節拍單位內的電量。
在一一個插槽中使用3相3線式產品多可測量4個電路，
使用3相4線式產品多可測量3個電路，
因此通過多電路型產品可在較小空間中實施電能測量Q2MEM-2MBS使用說明書Q2MEM-2MBS使用說明書。
例如，可使用一個模塊測量來自控制面板干線的其他負載。
此外，可使用GX Works2 （ 1.90U版和更高版本），輕松地設置參數。