Q系列的基本轉(zhuǎn)換模塊，A系列的增設(shè)基礎(chǔ)裝置連接適配器單元。
適用于：A5□B/A6□B。連接讀寫1ch。
ID系統(tǒng)接口模塊。
ID控制器BIS M-688-001/002是可直接安裝到Q系列的基板上，
通過可編程控制器指令讀寫ID標(biāo)簽數(shù)據(jù)的控制模塊Q2MEM-16MBA基礎(chǔ)知識(shí)。
BIS M-688-002的梯形圖與QD35ID1/2兼容Q2MEM-16MBA
可連接2個(gè)天線，還可同時(shí)進(jìn)行2通道的并行處理。
可使用BIS M系列的所有ID標(biāo)簽。
巴魯夫ID系統(tǒng)/BIS系列是可利用電磁結(jié)合方式讀寫數(shù)據(jù)的工業(yè)自動(dòng)化ID系統(tǒng)Q2MEM-16MBA基礎(chǔ)知識(shí)。
ID標(biāo)簽具有多種尺寸和存儲(chǔ)容量。手動(dòng)肪沖發(fā)生器/INC同步編碼器輸入：
可使用臺(tái)數(shù)：3臺(tái)/1個(gè)模塊。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無法實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時(shí)需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴(kuò)展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個(gè)連續(xù)的文件寄存器，
容量多可達(dá)4736K字，從而簡化了編程。
因此，即使軟元件存儲(chǔ)器空間不足，
也可通過安裝擴(kuò)展SRAM卡，方便地?cái)U(kuò)展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存器擴(kuò)展到了32位，從而使編程也可越了傳統(tǒng)的32K字，
并實(shí)現(xiàn)變址修飾擴(kuò)展到文件寄存器的所有區(qū)域。
另外，變址修飾程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時(shí)，可縮短掃描時(shí)間Q2MEM-16MBA基礎(chǔ)知識(shí)。用于16點(diǎn)I/O。0.3至1.5mm2(AWG22至16)。5槽；需要1個(gè)AnS系列PLC電源模塊；
用于安裝大AnS系列PLC模塊。
AnS系列PLC的基板底板。
QA1S系列PLC 5槽主基板。
AnS系列的模塊可安裝。輸出：8通道。
輸入（分辨率）：0~4000；-4000~4000；0~12000；-12000~12000。
輸出：DC 0~20mA。
轉(zhuǎn)換速度：80μs/1通道。
18點(diǎn)端子臺(tái)。
可提供多種模數(shù)和數(shù)模轉(zhuǎn)換模塊產(chǎn)品。
這些模塊功能多樣，在連接設(shè)備時(shí)，實(shí)現(xiàn)了大的靈活性。
可滿足變頻器控制等高速轉(zhuǎn)換需求。
具有卓越性能的各種模塊,
滿足從模擬量到定位的各種控制需求。
Q系列模塊產(chǎn)品包括種類豐富的各種I/O、模擬量和定位功能模塊。
可地滿足開關(guān)、傳感器等的輸入輸出，溫度、重量、流量和電機(jī)、驅(qū)動(dòng)器的控制，
以及要求控制的定位等各行業(yè)、各領(lǐng)域的控制需求。
還可與CPU模塊組合使用，實(shí)現(xiàn)恰如其分的控制。
電源與輸出之間變壓器隔離。
高緣強(qiáng)度耐壓。
可隔離電氣干擾，例如電流和噪音等。
標(biāo)準(zhǔn)型模擬量輸入模塊。
隔隔離型模擬量輸入模塊Q2MEM-16MBAEMC。
無需外部隔離放大器。
不使用通道間隔離型模擬量模模塊時(shí)Q2MEM-16MBAEMC。
使用了通道間隔離型模擬量模塊時(shí)。
以智能功能拓展控制的可能性。
提供各種模擬量模塊，是應(yīng)用于過程控制應(yīng)用的理想選擇。
也可滿足高速、控制需求。
適合用于要求高速轉(zhuǎn)換控制領(lǐng)域的模擬量模塊。