運(yùn)算控制方式：存儲(chǔ)程序反復(fù)運(yùn)算。
內(nèi)置CC-Link IE。
輸入輸出點(diǎn)數(shù)：4096點(diǎn)。
程序容量：40K。
提高恒定周期中斷程序的速度。
執(zhí)行恒定周期中斷程序的小間隔可縮短到50μs，
可編程控制器可切實(shí)讀取更高速的信號(hào)R60AD8-G參數(shù)。
此外，還可為中斷程序設(shè)定優(yōu)先度，在中斷處理時(shí)執(zhí)行優(yōu)先度高的中斷程序。
因此，在高速讀取信號(hào)時(shí)，也可通過常規(guī)的輸入模塊+CPU模塊的恒定周期中斷程序讀取信號(hào)R60AD8-G
便于處理的軟元件/標(biāo)簽區(qū)域
將擴(kuò)展SRAM卡安裝到可編程控制器CPU模塊上后，
可擴(kuò)展多 5786K 字的軟元件/標(biāo)簽存儲(chǔ)區(qū)域R60AD8-G參數(shù)。
擴(kuò)展區(qū)域作為與內(nèi)置CPU模塊的存儲(chǔ)器相連的區(qū)域，
可自由分配軟元件/標(biāo)簽等的范圍。
因此，可輕松進(jìn)行編程，而無需考慮各存儲(chǔ)區(qū)域的邊界。
此外，還可使用SD存儲(chǔ)卡處理記錄的數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)庫(kù)數(shù)據(jù)等大容量數(shù)據(jù)。安全度等級(jí)（SIL）：SIL 3（IEC 61508）。
性能等級(jí)（ PL）：PL e（EN/ISO 13849-1）。
運(yùn)算控制方式：存儲(chǔ)程序反復(fù)運(yùn)算。
程序容量：1200K（安全程序用：40K）。
程序內(nèi)存：4800K。
軟元件/標(biāo)簽內(nèi)存：3370K。
數(shù)據(jù)內(nèi)存：40M。
統(tǒng)一程序開發(fā)環(huán)境。
無論是一般控制程序還是安全控制程序，都可以整合制程序時(shí)，也和創(chuàng)建一般控制程序時(shí)相同，
可使用支持程序開發(fā)的GXWorks3的各種功能R60AD8-G參數(shù)。
通過高響應(yīng)性和豐富的程序容量提高生產(chǎn)效率。
有效利用的MELSEC iQ-R系列和CC-Link IE Field網(wǎng)絡(luò)，
提高響應(yīng)性，改善生產(chǎn)效率。
此外，安全控制用程序容量增加到40K步,約為以往的3倍。
可通過使用安全CPU，處理復(fù)雜的大容量程序。輸入：DC輸入。
輸入點(diǎn)數(shù)：32點(diǎn)。
額定輸入電壓：DC24V
額定輸入電流：4.0 TYP。
響應(yīng)時(shí)間：0.1～70ms。
公共端方式：32點(diǎn)、公共端。
中斷功能：有。
輸出：晶體管（漏型）輸出。
輸出點(diǎn)數(shù)：32點(diǎn)
額定負(fù)載電壓：DC12～24V。
大負(fù)載載電流：0.2A/點(diǎn)R60AD8-G模塊配置手冊(cè)。
響應(yīng)時(shí)間：1ms以下。
公共端方式：32點(diǎn)/公共共端R60AD8-G模塊配置手冊(cè)。
保護(hù)功能（過載、過熱）：有
共通。
外部配線連接方式：40針連接器兩個(gè)。
1個(gè)輸入輸出混合模塊可同時(shí)滿足輸入模塊和輸出模塊兩者的功能要求。
將2個(gè)模塊的功能集中到1個(gè)模塊中，有助于節(jié)省空間和成本。