運(yùn)算控制方式:存儲(chǔ)程序反復(fù)運(yùn)算。
內(nèi)置CC-Link IE。
輸入輸出點(diǎn)數(shù):4096點(diǎn)。
程序容量:40K。
提高恒定周期中斷程序的速度。
執(zhí)行恒定周期中斷程序的小間隔可縮短到50μs,
可編程控制器可切實(shí)讀取更高速的信號(hào)R60AD8-G參數(shù)。
此外,還可為中斷程序設(shè)定優(yōu)先度,在中斷處理時(shí)執(zhí)行優(yōu)先度高的中斷程序。
因此,在高速讀取信號(hào)時(shí),也可通過常規(guī)的輸入模塊+CPU模塊的恒定周期中斷程序讀取信號(hào)
R60AD8-G
便于處理的軟元件/標(biāo)簽區(qū)域
將擴(kuò)展SRAM卡安裝到可編程控制器CPU模塊上后,
可擴(kuò)展多 5786K 字的軟元件/標(biāo)簽存儲(chǔ)區(qū)域R60AD8-G參數(shù)。
擴(kuò)展區(qū)域作為與內(nèi)置CPU模塊的存儲(chǔ)器相連的區(qū)域,
可自由分配軟元件/標(biāo)簽等的范圍。
因此,可輕松進(jìn)行編程,而無需考慮各存儲(chǔ)區(qū)域的邊界。
此外,還可使用SD存儲(chǔ)卡處理記錄的數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)庫(kù)數(shù)據(jù)等大容量數(shù)據(jù)。安全度等級(jí)(SIL):SIL 3(IEC 61508)。
性能等級(jí)( PL):PL e(EN/ISO 13849-1)。
運(yùn)算控制方式:存儲(chǔ)程序反復(fù)運(yùn)算。
程序容量:1200K(安全程序用:40K)。
程序內(nèi)存:4800K。
軟元件/標(biāo)簽內(nèi)存:3370K。
數(shù)據(jù)內(nèi)存:40M。
統(tǒng)一程序開發(fā)環(huán)境。
無論是一般控制程序還是安全控制程序,都可以整合制程序時(shí),也和創(chuàng)建一般控制程序時(shí)相同,
可使用支持程序開發(fā)的GXWorks3的各種功能R60AD8-G參數(shù)。
通過高響應(yīng)性和豐富的程序容量提高生產(chǎn)效率。
有效利用的MELSEC iQ-R系列和CC-Link IE Field網(wǎng)絡(luò),
提高響應(yīng)性,改善生產(chǎn)效率。
此外,安全控制用程序容量增加到40K步,約為以往的3倍。
可通過使用安全CPU,處理復(fù)雜的大容量程序。輸入:DC輸入。
輸入點(diǎn)數(shù):32點(diǎn)。
額定輸入電壓:DC24V
額定輸入電流:4.0 TYP。
響應(yīng)時(shí)間:0.1~70ms。
公共端方式:32點(diǎn)、公共端。
中斷功能:有。
輸出:晶體管(漏型)輸出。
輸出點(diǎn)數(shù):32點(diǎn)
額定負(fù)載電壓:DC12~24V。
大負(fù)載載電流:0.2A/點(diǎn)R60AD8-G模塊配置手冊(cè)。
響應(yīng)時(shí)間:1ms以下。
公共端方式:32點(diǎn)/公共共端R60AD8-G模塊配置手冊(cè)。
保護(hù)功能(過載、過熱):有
共通。
外部配線連接方式:40針連接器兩個(gè)。
1個(gè)輸入輸出混合模塊可同時(shí)滿足輸入模塊和輸出模塊兩者的功能要求。
將2個(gè)模塊的功能集中到1個(gè)模塊中,有助于節(jié)省空間和成本。