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歐姆龍
模擬量輸入輸出模塊
C200H-MAD01

輸入輸出點數(shù)：分別2點。信號范圍選擇：分別2點獨立。信號范圍：1～5V、0～10V、-10～10V、4～20mA。

歐姆龍
定位模塊
C200H-MC221

通過多任務(wù)G語言將2軸運動控制功能單元化。對象驅(qū)動器可連接模擬量輸入的伺服驅(qū)動器。 ABS編碼器對應(yīng)可標(biāo)準(zhǔn)對應(yīng)ABS型（對值輸出型）編碼器。

歐姆龍
直流輸入/晶體管輸出模塊
C200H-MD115

輸入點數(shù)：16點。輸入電壓：DC12V。輸入電流：4.1mA。

歐姆龍
直流輸入/晶體管輸出模塊
C200H-MD215

輸入點數(shù)：16點。輸入電壓：DC24V。輸入電流：4.1mA。

歐姆龍
TTL輸入/輸出模塊
C200H-MD501

輸入點數(shù)：16點。輸入電壓：DC5V。輸入電流：約3.5mA 。

歐姆龍
EEPROM內(nèi)存卡
C200H-ME431

UM：3K字； DM：1K字。要將程序?qū)懭隕PROM，請使用標(biāo)準(zhǔn)PROM寫入器。在EPROM存儲器盒裝入CPU之前，先將EPROM連接至EPROM存儲器盒內(nèi)。

歐姆龍
EEPROM內(nèi)存卡
C200H-ME831

UM：7K字； DM：1K字。要將程序?qū)懭隕PROM，請使用標(biāo)準(zhǔn)PROM寫入器。在EPROM存儲器盒裝入CPU之前，先將EPROM連接至EPROM存儲器盒內(nèi)。

歐姆龍
EPROM內(nèi)存卡
C200H-MP831

UM：7K字； DM：1K字。要將程序?qū)懭隕PROM，請使用標(biāo)準(zhǔn)PROM寫入器。在EPROM存儲器盒裝入CPU之前，先將EPROM連接至EPROM存儲器盒內(nèi)。

歐姆龍
CMOS-RAM內(nèi)存卡
C200H-MR431

cmos-ram單元：內(nèi)置備用電池。 UM：3K字； DM：1K字。 CPU有一個安裝存儲器盒的艙。

歐姆龍
CMOS-RAM內(nèi)存卡
C200H-MR432

cmos-ram單元：電容器備份。 UM：3K字； DM：1K字。 CPU有一個安裝存儲器盒的艙。

歐姆龍
CMOS-RAM內(nèi)存卡
C200H-MR831

cmos-ram單元：內(nèi)置備用電池。 UM：7K字； DM：1K字。 CPU有一個安裝存儲器盒的艙。

歐姆龍
CMOS-RAM內(nèi)存卡
C200H-MR832

cmos-ram單元：電容器備份。 UM：7K字； DM：1K字。 CPU有一個安裝存儲器盒的艙。

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