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QD75P4N開路集電極輸出(升級(jí)版)三菱QD75P4N

三菱QD75P4N說明書手冊(cè)
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QD75P4N EMC
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三菱QD75P4N產(chǎn)品信息及技術(shù)參數(shù):
品牌: 三菱
產(chǎn)品名稱: 開路集電極輸出(升級(jí)版)
型號(hào): QD75P4N
4軸,開路集電極輸出型。
2軸/3軸/4軸直線插補(bǔ)。
2軸弧線插補(bǔ)。
控制單位:mm、英寸、度、脈沖。
定位數(shù)據(jù)數(shù):600個(gè)數(shù)據(jù)/軸。
大脈沖輸出:200Kpps。
40針連接器。
定位模塊。
開路集電極輸出型。
差分驅(qū)動(dòng)器輸出型。
根據(jù)用途分為開路集電極輸出型和差分驅(qū)動(dòng)器輸出型 2 種類型。
差分驅(qū)動(dòng)器輸出型定位模塊可將高速指令脈沖 ( 高 4Mpps) 可靠地傳輸至伺服放大器,
傳輸距離可達(dá) 10 米,實(shí)現(xiàn)高速的控制。
(開路集電極型定位模塊的指令脈沖高為200kpps。)
具有卓越性能的各種模塊,
滿足從模擬量到定位的各種控制需求。
Q系列模塊產(chǎn)品包括種類豐富的各種I/O、模擬量和定位功能模塊。
可地滿足開關(guān)、傳感器等的輸入輸出,溫度、重量、流量和電機(jī)、驅(qū)動(dòng)器的控制,
以及要求控制的定位等各行業(yè)、各領(lǐng)域的控制需求。
還可與CPU模塊組合使用,實(shí)現(xiàn)恰如其分的控制。
以智能功能拓展控制的可能性。
提供各種模擬量模塊,是應(yīng)用于過程控制應(yīng)用的理想選擇。
也可滿足高速、控制需求。
適合用于要求高速轉(zhuǎn)換控制領(lǐng)域的模擬量模塊。
可提供多種模數(shù)和數(shù)模轉(zhuǎn)換模塊產(chǎn)品。
這些模塊功能多樣,在連接設(shè)備時(shí),實(shí)現(xiàn)了大的靈活性。
可滿足變頻器控制等高速轉(zhuǎn)換需求。

三菱QD75P4N其它性能說明:
輸入輸出點(diǎn)數(shù):512點(diǎn)。
輸入輸出數(shù)據(jù)設(shè)備點(diǎn)數(shù):8192點(diǎn)。
程序容量:28k。
基本命令處理速度(LD命令):0.075μS。
PLC在程序執(zhí)行階段:按用戶程序指令存放的先后順序掃描執(zhí)行每條指令,
經(jīng)相應(yīng)的運(yùn)算和處理后,其結(jié)果再寫入輸出狀態(tài)寄存器中,
輸出狀態(tài)寄存器中所有的內(nèi)容隨著程序的執(zhí)行而改變?nèi)釷D75P4NQD75P4N
輸出刷新階段:當(dāng)所有指令執(zhí)行完畢,
輸出狀態(tài)寄存器的通斷狀態(tài)在輸出刷新階段送至輸出鎖存器中,
并通過一定的方式(繼電器、晶體管或晶間管)輸出,驅(qū)動(dòng)相應(yīng)輸出設(shè)備工作。輸出點(diǎn)數(shù):32點(diǎn)。
輸出電壓及電流:DC12~24V;0.1A/點(diǎn);2A/公共端三菱QD75P4N。
OFF時(shí)漏電流:0.1mA。
應(yīng)答時(shí)間:1ms。
32點(diǎn)1個(gè)公共端。
源型。
40針連接器。
帶熱防護(hù)。
帶浪涌吸收器。
帶保險(xiǎn)絲。
借助采樣跟蹤功能縮短啟動(dòng)時(shí)間
利用采樣跟蹤功能,方便分析發(fā)生故障時(shí)的數(shù)據(jù),
檢驗(yàn)程序調(diào)試的時(shí)間等,可縮短設(shè)備故障分析時(shí)間和啟動(dòng)時(shí)間三菱QD75P4N。
此外,在多CPU系統(tǒng)中也有助于確定CPU模塊之間的數(shù)據(jù)收發(fā)時(shí)間。
可用編程工具對(duì)收集的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析,
并以圖表和趨勢(shì)圖的形式方便地顯示位軟元件和字軟元件的數(shù)據(jù)變化。
并且,可將采樣跟蹤結(jié)果以GX LogViewer形式的CSV進(jìn)行保存,
通過記錄數(shù)據(jù)顯示、分析工具GX LogViewer進(jìn)行顯示三菱開路集電極輸出(升級(jí)版)。
高速處理,生產(chǎn)時(shí)間縮短,更好的性能。
隨著應(yīng)用程序變得更大更復(fù)雜,縮短系統(tǒng)運(yùn)行周期時(shí)間是非常必要的。
通過高的基本運(yùn)算處理速度1.9ns,可縮短運(yùn)行周期。
除了可以實(shí)現(xiàn)以往與單片機(jī)控制相聯(lián)系的高速控制以外,
還可通過減少總掃描時(shí)間,提高系統(tǒng)性能,
防止任何可能出現(xiàn)的性能偏差三菱開路集電極輸出(升級(jí)版)。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無法實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取,
在編程時(shí)需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴(kuò)展卡,
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個(gè)連續(xù)的文件寄存器,
容量多可達(dá)4736K字,從而簡(jiǎn)化了編程三菱開路集電極輸出(升級(jí)版)。
因此,即使軟元件存儲(chǔ)器空間不足,
也可通過安裝擴(kuò)展SRAM卡,方便地?cái)U(kuò)展文件寄存器區(qū)域。

變址寄存器擴(kuò)展到了32位,從而使編程也可越了傳統(tǒng)的32K字,
并實(shí)現(xiàn)變址修飾擴(kuò)擴(kuò)展到文件寄存器的所有區(qū)域三菱QD75P4NQD75P4N。
另外,變址修飾的處理速度對(duì)結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)(陣列)的運(yùn)算起著重要作用,
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序(例如從FOR到NEXT的指令等)中時(shí),可縮短掃描時(shí)間。


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