C200HW-ATT84產(chǎn)品特點(diǎn)及功能介紹：
輸入點(diǎn)數(shù)：8點(diǎn)。
信號(hào)范圍選擇：8點(diǎn)個(gè)別。
信號(hào)范圍：1～5V、0～5V、0～10V、－10～10V、4～20mA。
分辨率：1/8000（也可設(shè)定為1/4000）。
轉(zhuǎn)換速度：250μs/點(diǎn)以下（也可設(shè)定為1ms/點(diǎn)）。
綜合精度：電壓：正負(fù)0.2% 電流：正負(fù)0.4%。
各功能：斷線檢測(cè)、峰值保持、平均化處理C200HW-ATT84
外部連接：可卸端子塊。
一致的毫秒總處理能力：具有直接轉(zhuǎn)換的型號(hào)加入此產(chǎn)品系列。
用于將模擬量輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換為二進(jìn)位數(shù)據(jù)的模擬量輸入單元。
用于將二進(jìn)位數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為模擬量輸出信號(hào)的模擬量輸出單元。
對(duì)于一個(gè)單元，多輸入八個(gè)模擬量信號(hào)。
功能包括斷線檢測(cè)、平均、峰值保留、偏移/增益調(diào)整以及定標(biāo)。
(CJ1W-AD042不支持偏移/增益調(diào)整。只有CJ1W-AD042才支持定標(biāo)）。
直接轉(zhuǎn)換功能的20μs/點(diǎn)的高速A/D轉(zhuǎn)換* （CJ1W-AD042）。容量：32K字。
在C200HX\C200HG\C200HE CPU內(nèi)安裝EEPROM內(nèi)存卡，
給CPU讀寫程序和I/O數(shù)據(jù)。
EEPROM內(nèi)存卡不需要任何后備電源，
即使把它從CPU上取下，仍能保持其數(shù)據(jù)。
EEPROM內(nèi)存卡有一個(gè)存儲(chǔ)保護(hù)開關(guān)(SW1)。
ON：EEPROM內(nèi)存卡數(shù)據(jù)受到保護(hù)，禁止寫入。
OFF：數(shù)據(jù)可以寫入EEPROM內(nèi)存卡，出廠前SW1置為OFF，可以寫步。輸出點(diǎn)數(shù)：12點(diǎn)、漏型。
額定電壓：DC24V。
大負(fù)載電流：0.3A。
外部接線：拆卸端子塊。
SYSBUS遠(yuǎn)程I/O從站機(jī)架：可以。
占用單元數(shù)：1CH。
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)：U、C、N、L、CE。
新改進(jìn)的特殊I/O單元使得PC應(yīng)用更為容易。
新增加了運(yùn)動(dòng)控制單元、雙軸高速計(jì)數(shù)器單元、8點(diǎn)模擬量I/O單元，
4點(diǎn)模擬量I/O混合單元。
安裝在CPU上特殊I/O單元數(shù)目已從多10個(gè)增加到16個(gè)，
它更充分利用了C200HX/HG PC的功能，
正確組合特殊I/O單元可以容易地對(duì)被控制系統(tǒng)進(jìn)行管理。
可實(shí)現(xiàn)智能I/O讀寫指令。
只執(zhí)行1條指令即可以傳送多個(gè)字的數(shù)據(jù)與C200HS兼容的全部特殊I/O單元都可以照常使用。
SYSMAC C200HX/HG/HE系列逐漸成為受用戶的喜愛的強(qiáng)有力的PC。I/O容量/可安裝單元型號(hào)標(biāo)準(zhǔn) (擴(kuò)展裝置)：2560點(diǎn)/40單元 (多3個(gè)擴(kuò)展裝置)。
程序容量：250K步。
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量：512K字，DM：32K字；EM：32K字 × 15個(gè)存儲(chǔ)庫(kù)。
通過直接處理的立即刷新指令，提高I/O總處理能力速度。
讓系統(tǒng)遠(yuǎn)離存儲(chǔ)器自恢復(fù)功能所產(chǎn)生的存儲(chǔ)錯(cuò)誤。
CJ2是模塊控制器領(lǐng)域的的市場(chǎng)多年豐富經(jīng)驗(yàn)的結(jié)晶，
代表著控制器設(shè)計(jì)的一個(gè)合乎邏輯的新篇章。
它提供優(yōu)越的性能、更快的的I/O響應(yīng)以及級(jí)可擴(kuò)展性，
因此，您只需擁有一個(gè)系列。此外，您可以更快、更輕松地完成編程、調(diào)試任務(wù)，
網(wǎng)絡(luò)也變得更快速，更易于操作。
歡迎使用全新CJ2系列： 致力于向你提供不再有升級(jí)煩惱的技術(shù)創(chuàng)新。
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