容量：32K字。
在C200HX\C200HG\C200HE CPU內(nèi)安裝EEPROM內(nèi)存卡，
給CPU讀寫程序和I/O數(shù)據(jù)。
EEPROM內(nèi)存卡不需要任何后備電源，
即使把它從CPU上取下，仍能保持其數(shù)據(jù)CV500-ATT05產(chǎn)品特點(diǎn)。
EEPROM內(nèi)存卡有一個(gè)存儲(chǔ)保護(hù)開關(guān)(SW1)。
ON：EEPROM內(nèi)存卡數(shù)據(jù)受到保護(hù)，禁止寫入CV500-ATT05
OFF：數(shù)據(jù)可以寫入EEPROM內(nèi)存卡，出廠前SW1置為OFF，可以寫步。容量：16K字。
要將程序?qū)懭隕PROM，請(qǐng)使用標(biāo)準(zhǔn)PROM寫入器CV500-ATT05產(chǎn)品特點(diǎn)。
在EPROM存儲(chǔ)器盒裝入CPU之前，先將EPROM連接至EPROM存儲(chǔ)器盒內(nèi)。
若將EPROM存儲(chǔ)器盒從CPU上拆下，不會(huì)丟失它的數(shù)據(jù)。
CPU有一個(gè)安裝存儲(chǔ)器盒的艙。
存儲(chǔ)器盒作為RAM和CPU內(nèi)置RAM共同工作。
可選用EEPROM和EPROM存儲(chǔ)器盒。可用于CPU單元：CQM1H-CPU51/61。
連接位置和單元數(shù)：僅一個(gè)單元，單元必須連接在電源和CPU單元之間。
電流消耗：270mA。程序容量：15.2K字。
RS-232端口：無(wú)。
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(DM)：6K字。
擴(kuò)展數(shù)據(jù)內(nèi)存(EM)：6K字。
處理時(shí)間(基本指令)：0.15μs。
I/O點(diǎn)數(shù)：1184點(diǎn)。
I/O擴(kuò)展單元的臺(tái)數(shù)：(2單元占用單元)CV500-ATT05產(chǎn)品特點(diǎn)。
總線I/O的可裝載臺(tái)數(shù)：16臺(tái)(1單元占用單元)。
為高水平控制而設(shè)計(jì)的。
變革生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)的「情報(bào)化」、「標(biāo)準(zhǔn)化」
為了適應(yīng)消費(fèi)者多樣化的需要，
要求生產(chǎn)不同的品種、數(shù)量，縮短開發(fā)周期、降低成本等。
制造業(yè)正面對(duì)著十分嚴(yán)唆的形勢(shì)。
因而在生產(chǎn)上愈發(fā)要求提率，機(jī)動(dòng)靈活。
從而，情報(bào)化_、標(biāo)準(zhǔn)化成為當(dāng)務(wù)之急。
為實(shí)現(xiàn)此目標(biāo)，各銷售部門配置的不同網(wǎng)絡(luò)、專為用戶特定編制的軟件工具的使用環(huán)境力求統(tǒng)一。
適應(yīng)多通道控制的元器件也正日益步入商品化階段。UM：3K字；
DM：1K字。
要將程序?qū)懭隕PROM，請(qǐng)使用標(biāo)準(zhǔn)PROM寫入器。
在EPROM存儲(chǔ)器盒裝入CPU之前，先將EPROM連接至EPROM存儲(chǔ)器盒內(nèi)。
若將EPROM存儲(chǔ)器盒從CPU上拆下，不會(huì)丟失它的數(shù)據(jù)。
CPU有一個(gè)安裝存儲(chǔ)器盒的艙。
存儲(chǔ)器盒作為RAM和CPU內(nèi)置RAM共同工作。
可選用EEPROM和EPROM存儲(chǔ)器盒。輸入點(diǎn)數(shù)：8點(diǎn)。
輸入信號(hào)范圍：1-5V、0-10V、0-20mA。
分辨率：1/4096。
變換速度：10ms/點(diǎn)以下。
把電壓、電流等模擬輸入信號(hào)變換成二進(jìn)制（BIN）數(shù)據(jù)，取到PC內(nèi)部。
在工業(yè)生產(chǎn)過(guò)程當(dāng)中，有許多連續(xù)變化的的量，
如溫度、壓力、流量、液位和速度等都是模擬量量CV500-ATT05CS1替換CV/CVM1手冊(cè)CV500-ATT05CS1替換CV/CVM1手冊(cè)。
為了使可編程控制器處理模擬量，
必須實(shí)現(xiàn)模擬量（Analog）和數(shù)字量（Digital）之間的A/D轉(zhuǎn)換及D/A轉(zhuǎn)換。
PLC廠家都生產(chǎn)配套的A/D和D/A轉(zhuǎn)換模塊，
使可編程控制器用于模擬量控制。