輸入輸出模塊安裝臺數(shù)：8臺。
可安裝模塊：MELSEC-Q系列模塊。
DIN導(dǎo)軌安裝用適配器型號：Q6DIN1。
外形尺寸（H）×（W）×（D）：98mm×328mm×44.1mmR08CPU初級教程。
用于安裝MELSEC-Q系列各種模塊的基板模塊。
在之后的擴(kuò)展中使用Q系列擴(kuò)展基板。輸出點(diǎn)數(shù)：16點(diǎn)。
輸出形式：晶體管（源型）輸出R08CPU
額定開閉電壓、電流：-。
額定負(fù)載電壓：DC12～24V。
大負(fù)載電流：0.5A/點(diǎn)。
響應(yīng)時(shí)間：1ms以下。
公共端方式：16點(diǎn)/公共端。
保護(hù)功能（過載、過熱）：有R08CPU初級教程。
外部配線連接方式：18點(diǎn)螺釘端子臺。
輸出模塊帶機(jī)械式繼電器觸點(diǎn)機(jī)構(gòu)，
包括所用的負(fù)載電壓范圍較大的繼電器輸出型和可用于DC12~24V負(fù)載的晶體管輸出型。
可根據(jù)負(fù)載電壓、輸出點(diǎn)數(shù)的不同，選擇適合用戶需求的模塊。
根據(jù)繼電器觸點(diǎn)壽命進(jìn)行預(yù)防性維護(hù)。
繼電器輸出模塊可累計(jì)各輸出點(diǎn)的ON次數(shù)。
可通過了解該繼電器觸點(diǎn)的開關(guān)次數(shù)，根據(jù)繼電器壽命進(jìn)行預(yù)防性維護(hù)。運(yùn)算控制方式：存儲程序反復(fù)運(yùn)算。
內(nèi)置CC-Link IE。
輸入輸出點(diǎn)數(shù)：4096點(diǎn)。
程序容量：40K。
提高恒定周期中斷程序的速度。
執(zhí)行恒定周期中斷程序的小間隔可縮短到50μs，
可編程控制器可切實(shí)讀取更高速的，也可通過常規(guī)的輸入模塊+CPU模塊的恒定周期中斷程序讀取信號R08CPU初級教程。
便于處理的軟元件/標(biāo)簽區(qū)域
將擴(kuò)展SRAM卡安裝到可編程控制器CPU模塊上后，
可擴(kuò)展多 5786K 字的軟元件/標(biāo)簽存儲區(qū)域。
擴(kuò)展區(qū)域作為與內(nèi)置CPU模塊的存儲器相連的區(qū)域，
可自由分配軟元件/標(biāo)簽等的范圍。
因此，可輕松進(jìn)行編程，而無需考慮各存儲區(qū)域的邊界。
此外，還可使用SD存儲卡處理記錄的數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)庫數(shù)據(jù)等大容量數(shù)據(jù)。運(yùn)算控制方式：存儲程序反復(fù)運(yùn)算。
輸入輸出點(diǎn)數(shù)：4096點(diǎn)。
程序容量：1200K。
作為可編程控制器控制系統(tǒng)的核心，可編程控制器CPU模塊中已配備多種功能，
支持多種控制。程序容量從40K步到1200K步，可選擇適合系統(tǒng)規(guī)模的CPU模塊。
并且具有可直接連接到工業(yè)網(wǎng)絡(luò)的CPU模塊，可降低系統(tǒng)構(gòu)建成本。
便于處理的軟元件/標(biāo)簽區(qū)域
將擴(kuò)展SRAM卡安裝到可可編程控制器CPU模塊上后，
可擴(kuò)展多 5786K 字的軟元件/標(biāo)簽存儲區(qū)域R08CPU用戶手冊。R08CPU用戶手冊。
擴(kuò)展區(qū)域作為與內(nèi)置CPU模塊的存儲器相連的區(qū)域，
可自由分配軟元件/標(biāo)簽等的范圍。
因此，可輕松進(jìn)行編程，而無需考慮各存儲區(qū)域的邊界。
此外，還可使用SD存儲卡處理記錄的數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)庫數(shù)據(jù)等大容量數(shù)據(jù)。