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Q35DB使用方法三菱Q35DBEMC

產(chǎn)品型號: Q35DB
產(chǎn)品名稱: 可編程控制器
品牌: 三菱
類別: EMC
文件語言: 英文
文件大小: 0.07MB
下載地址: 三菱 Q35DB EMC
輸入輸出點數(shù):4096點。
輸入輸出軟元件點數(shù):8192點。
程序容量:260K步。
基本運處理速度(LD指令):1.9ns。
程序內(nèi)存容量:1040KB。
外圍設備連接端口:USB、以太網(wǎng)(通信協(xié)義支持功能)Q35DB使用方法。
存儲卡I/F:SD存儲卡、擴展SRAM卡。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無法實現(xiàn)標準RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取,
在編程時需要考慮各區(qū)域的邊界Q35DB
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴展卡,
可將標準RAM作為一個連續(xù)的文件寄存器,
容量多可達4736K字,從而簡化了編程Q35DB使用方法。
因此,即使軟元件存儲器空間不足,
也可通過安裝擴展SRAM卡,方便地擴展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存器擴展到了32位,從而使編程也可越了傳統(tǒng)的32K字,
并實現(xiàn)變址修飾擴展到文件寄存器的所有區(qū)域。
另外,變址修飾的處理速度對結(jié)構化數(shù)據(jù)(陣列)的運算起著重要作用,
該速度現(xiàn)已得到提高。
當變址修飾用于反復處理程序(例如從FOR到NEXT的指令等)中時,可縮短掃描時間。
支持USB和RS232。

支持安裝記憶卡。

多CPU之間提供高速通信。
縮短了固定掃描中斷時間,裝置化。
固定周期中斷程序的小間隔縮減至100μs。
可準確獲取高速信號,為裝置的信(周期為0.88ms)的并列處理,實現(xiàn)高速控制Q35DB使用方法。
多CPU間高速通信周期與運動控制同步,因此可實現(xiàn)運算效率大化。
此外,新的運動控制CPU在性能上是先前型號的2倍,
確保了高速、的機器控制。輸入輸出點數(shù):4096點。
輸入輸出數(shù)據(jù)設備點數(shù):8192點。
程序容量:124k。
基本命令處理速度(LD命令):0.075μS。
多重化用CPU(協(xié)同處理器裝載)。
指令執(zhí)行所需的時間和用戶程序的長短、指令的種類和CPU執(zhí)行速度是有很大關系,
一般來說,一個掃描的過程中,故障診斷時間,
通信時間,輸入采樣和輸出刷新所占的時間較少,
執(zhí)行的時間是占了大部分。
光電耦合器由兩個發(fā)光二極度管和光電三極管組成。
發(fā)光二級管:在光電耦合器的輸入端加上變化的電信號,
發(fā)光二極管就產(chǎn)生與輸入信號變化規(guī)律相同的光信號。
輸入接口電路工作過程:當開關合上,二極管發(fā)光,
然后三極管在光的照射下導通,向內(nèi)部電路輸入信號。
當開關斷開,二極管不發(fā)光,三極管不導通。向內(nèi)部電路輸入信號。
也就是通過輸入接口電路把外部的開關信號轉(zhuǎn)化成PLC內(nèi)部所能接受的數(shù)字信號。
光電三級管:在光信號的照射下導通,導通程度與光信號的強弱有關。
在光電耦合器的線性工作區(qū)內(nèi),輸輸出信號與輸入信號有線性關系Q35DBEMC。
用戶程序存儲容量:是衡量可存儲用戶應用程序多少的指標標Q35DBEMC。
通常以字或K字為單位。16位二進制數(shù)為一個字,
每1024個字為1K字。PLC以字為單位存儲指令和數(shù)據(jù)。
一般的邏輯操作指令每條占1個字。定時/計數(shù),
移位指令占2個字。數(shù)據(jù)操作指令占2~4個字。
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