緊湊型閃存卡。
容量：2GB字節(jié)。SRAM存儲器卡，容量：4M字節(jié)。
尺寸：74*42.8*8.1mm
重量：15g。
支持SD存儲卡。
高速通用型QCPU支持SD存儲卡，
從而能夠與有SD存儲卡插口的PC之間輕松地實現(xiàn)數(shù)據(jù)交換Q64AD-GH技術(shù)指標。
另外、可同時使用SD存儲卡和擴展SRAM卡。
因此，可利用擴展SRAM卡擴展文件寄存器，
可利用SD存儲卡同時進行數(shù)據(jù)文件記錄、大量注釋數(shù)據(jù)保存、通過存儲卡進行引導(dǎo)運行Q64AD-GH
更好的用戶體驗數(shù)據(jù)記錄功能。
記錄方便，無需程序。
只需通過專門的配置工具向?qū)лp松完成設(shè)置，
便可將收集的數(shù)據(jù)以CSV格式保存到SD存儲卡Q64AD-GH技術(shù)指標。
可有效利用已保存的CSV文件方便地創(chuàng)建各種參考資料，
包括日常報告、生成報表及一般報告。
這些資料可應(yīng)用于啟動時的數(shù)據(jù)分析、追溯等。
毫無遺漏地記錄控制數(shù)據(jù)的變動
可在每次順序掃描期間或者在毫秒時間間隔內(nèi)收集數(shù)據(jù)，
毫無遺漏地記錄的控制數(shù)據(jù)的變動。
因此，在發(fā)生故障時，可快速確定原因，進行的動作分析。輸入輸出點數(shù)：1024點。
輸入輸出數(shù)據(jù)設(shè)備點數(shù)：8192點。
程序容量：60k。
基本命令處理速度(LD命令)：0.2μS。
指令執(zhí)行所需的時間和用戶程序的長短、指令的種類和CPU執(zhí)行速度是有很大關(guān)系，
是占了大部分Q64AD-GH技術(shù)指標。
光電耦合器由兩個發(fā)光二極度管和光電三極管組成。
發(fā)光二級管：在光電耦合器的輸入端加上變化的電信號，
發(fā)光二極管就產(chǎn)生與輸入信號變化規(guī)律相同的光信號。
輸入接口電路工作過程：當開關(guān)合上，二極管發(fā)光，
然后三極管在光的照射下導(dǎo)通，向內(nèi)部電路輸入信號。
當開關(guān)斷開，二極管不發(fā)光，三極管不導(dǎo)通。向內(nèi)部電路輸入信號。
也就是通過輸入接口電路把外部的開關(guān)信號轉(zhuǎn)化成PLC內(nèi)部所能接受的數(shù)字信號。
光電三級管：在光信號的照射下導(dǎo)通，導(dǎo)通程度與光信號的強弱有關(guān)。
在光電耦合器的線性工作區(qū)內(nèi)，輸出信號與輸入信號有線性關(guān)系。
用戶程序存儲容量：是衡量可存儲用戶應(yīng)用程序多少的指標。
通常以字或K字為單位。16位二進制數(shù)為一個字，
每1024個字為1K字。PLC以字為單位存儲指令和數(shù)據(jù)。
一般的邏輯操作指令每條占1個字。定時/計數(shù)，
移位指令占2個字。數(shù)據(jù)操作指令占2~4個字。8通道。
鉑熱電阻（Pt100、JPt100）。
鎳熱電阻（Ni100）。
脫落檢測功能。
轉(zhuǎn)換速度：320ms/8通道。
通道間隔離。
40針連接器。
適合用于過程控制的隔離模擬量模塊。
可通過連接熱電偶/熱電阻來收集溫度數(shù)據(jù)。
產(chǎn)品可選擇多通道（ 8通道）輸入型和通道隔離型。
客戶可根據(jù)預(yù)期用途選擇適合的型號。
縮短系統(tǒng)停機復(fù)原時間。
只需簡單的操作，即可將CPU內(nèi)的所有數(shù)據(jù)備份到存儲卡中。
通過定期備份，可始終將新的參數(shù)、程序等保存到存儲卡。
在萬一發(fā)生CPU故障時，在更換CPU后，可通過簡單的操作，
通過事前備份了數(shù)據(jù)的存儲卡進行系統(tǒng)復(fù)原。
因此，無需花費時間管理備份數(shù)據(jù)，也可縮短系統(tǒng)停機時的復(fù)原時間。
自動備份關(guān)鍵數(shù)據(jù)
將程程序和參數(shù)文件自動保存到無需使用備份電池的程序存儲器（Flash ROM）中中，
以防因忘記更換電池而導(dǎo)致程序和參數(shù)丟失Q64AD-GH用戶手冊Q64AD-GH用戶手冊。
此外，還可將軟元件數(shù)據(jù)等重要數(shù)據(jù)備份到標準ROM，
以避免在長假期間等計劃性停機時，
這些數(shù)據(jù)因電池電量耗盡而丟失。
下次打開電源時，備份的數(shù)據(jù)將自動恢復(fù)。