輸出點數(shù)：64點。
輸出電壓及電流：DC12~24V；0.1A/點；2A/公共端。
OFF時漏電流：0.1mA。
應答時間：1ms。
32點1個公共端。
源型Q50UDEHCPU使用方法。
40針連接器。
帶熱防護。
帶浪涌吸收器。
帶保險絲。
借助采樣跟蹤功能縮短啟動時間
利用采樣跟蹤功能，方便分析發(fā)生故障時的數(shù)據(jù)，
檢驗程序調(diào)試的時間等，可縮短設備故障分析時間和啟動時間Q50UDEHCPU
此外，在多CPU系統(tǒng)中也有助于確定CPU模塊之間的數(shù)據(jù)收發(fā)時間Q50UDEHCPU使用方法。
可用編程工具對收集的數(shù)據(jù)進行分析，
并以圖表和趨勢圖的形式方便地顯示位軟元件和字軟元件的數(shù)據(jù)變化。
并且,可將采樣跟蹤結果以GX LogViewer形式的CSV進行保存，
通過記錄數(shù)據(jù)顯示、分析工具GX LogViewer進行顯示。
高速處理，生產(chǎn)時間縮短，更好的性能Q50UDEHCPU使用方法。
隨著應用程序變得更大更復雜，縮短系統(tǒng)運行周期時間是非常必要的。
通過高的基本運算處理速度1.9ns，可縮短運行周期。
除了可以實現(xiàn)以往與單片機控制相聯(lián)系的高速控制以外，
還可通過減少總掃描時間，提高系統(tǒng)性能，
防止任何可能出現(xiàn)的性能偏差。
方便處理大容量數(shù)據(jù)Q50UDEHCPU(應用功能)。
以往無法實現(xiàn)標準RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴展卡，
可將標準RAM作為一個連續(xù)的文件寄存器，
容量多可達4736K字，從而簡化了編程。
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過安裝擴展SRAM卡，方便地擴展文件寄存器區(qū)域Q50UDEHCPU(應用功能)。
變址寄存器擴展到了32位，從而使編程也可越了傳統(tǒng)的32K字，
并實現(xiàn)變址修飾擴展到文件寄存器的所有區(qū)域。
另外，變址修飾的處理速度對結構化數(shù)據(jù)（陣列）的運算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高Q50UDEHCPU(應用功能)。
當變址修飾用于反復處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時，可縮短掃描時間。更換用電池。
初始電壓3.0V。
更換用大容量電池模塊，帶電纜。
電流容量：18000mAh。
使用壽命：5年。
外形尺寸：98*55.2*87mm輸入輸出點數(shù)：512點。
輸入輸出數(shù)據(jù)設備點數(shù):8192點。
程序容量：28k。
基本命令處理速度(LD命令)：0.075μS。
PLC在程序執(zhí)行階段：按用戶程序指令存放的先后順序掃描執(zhí)行每條指令令，
經(jīng)相應的運算和處理后，其結果再寫入輸出狀態(tài)寄存器中，
輸出狀態(tài)寄存存器中所有的內(nèi)容隨著程序的執(zhí)行而改變Q50UDEHCPU使用方法Q50UDEHCPU編程手冊。
輸出刷新階段：當所有指令執(zhí)行完畢，
輸出狀態(tài)寄存器的通斷狀態(tài)在輸出刷新階段送至輸出鎖存器中，
并通過一定的方式(繼電器、晶體管或晶間管)輸出，驅動相應輸出設備工作。