輸入：2通道。
輸入：熱電偶/微電壓/電壓/電流。
轉(zhuǎn)換速度(輸入)：25ms/2通道。
采樣周期：25ms/2通道。
輸出：DC4~20mA。
轉(zhuǎn)換速度(輸出)：25ms/2通道QS001CPU技術(shù)說明。
18點端子臺。
帶5種PID控制模式。
適合于溫度控制、流量控制等快速響應(yīng)對象控制的回路控制模塊。
回路控制模塊具有與速度成正比的PID控制格式和25ms的采樣周期，
支持、高分辨率熱電偶輸入、微小電壓輸入、電壓輸入、電流輸入和電流輸出QS001CPU
合適用于高速的升降溫度控制和壓力控制、流量控制等要求高速響應(yīng)的應(yīng)用QS001CPU技術(shù)說明。
可連接符合JIS、IEC、NBS、ASTM標(biāo)準(zhǔn)的熱電偶。
通過微小電壓、電壓、電流輸入傳感器，可對各種輸入范圍進行模擬量值測量。
提供程序控制功能，可同時根據(jù)具體的時間要求自動更改目標(biāo)值(SV)和PID常數(shù)[比例帶(P)、積分時間(I)、微分時間(D)]，
以及串級控制功能，允許以通道1為主站，通道2為從站進行控制QS001CPU技術(shù)說明。SRAM+E2PROM存儲卡。
RAM容量：256KB。
E2PROM容量：256KB。輸入點數(shù)：32點。
輸入電壓及電流：DC24V 4mAQS001CPU(結(jié)構(gòu)化文本(ST))。
應(yīng)答時間：1/5/10/20/70ms。
32點1個公共端。
共陽極。
輸出點數(shù)：32點。
輸出電壓及電流：DC12-24V；0.1A/點；2A/公共端。
應(yīng)答時間：1ms。
32點1個公共端、漏型；40針連接器。
帶熱保護。
帶短路保護。
帶浪涌吸收器。
借助采樣跟蹤功能縮短啟動時間
利用采樣跟蹤功能，方便分析發(fā)生故障時的數(shù)據(jù)，
檢驗程序調(diào)試的時間等，可縮短設(shè)備故障分析時間和啟動時間QS001CPU(結(jié)構(gòu)化文本(ST))。
此外，在多CPU系統(tǒng)中也有助于確定CPU模塊之間的數(shù)據(jù)收發(fā)時間。
可用編程工具對收集的數(shù)據(jù)進行分析，
并以圖表和趨勢圖的形式方便地顯示位軟元件和字軟元件的數(shù)據(jù)變化QS001CPU(結(jié)構(gòu)化文本(ST))。
并且,可將采樣跟蹤結(jié)果以GX LogViewer形式的CSV進行保存，
通過記錄數(shù)據(jù)顯示、分析工具GX LogViewer進行顯示。
高速處理，生產(chǎn)時間縮短，更好的性能。
隨著應(yīng)用程序變得更大更復(fù)雜，縮短系統(tǒng)運行周期時間是非常必要的。
通過高的基本運算處理速度1.9ns，可縮短運行周期。
除了可以實現(xiàn)以往與單片機控制相聯(lián)系的高速控制以外，
還可通過減少總掃描時間，提高系統(tǒng)性能，
防止任何可能出現(xiàn)的性能偏差。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無法實現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個連續(xù)的文件寄存器，
容量多可達4736K字，從而簡化了編程。
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過安裝擴展SRAM卡，方便地擴展文件寄存器區(qū)域。
變址寄寄存器擴展到了32位，從而使編程也可越了傳統(tǒng)的32K字，
并實現(xiàn)變址修飾擴擴展到文件寄存器的所有區(qū)域QS001CPU技術(shù)說明QS001CPU編程指南手冊。
另外，變址修飾的處理速度對結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的運算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時，可縮短掃描時間。