緊湊型閃存卡。
容量：8GB字節(jié)。緊湊型閃存卡。
容量：4GB字節(jié)。輸出點(diǎn)數(shù)：64點(diǎn)。
輸出電壓及電流：DC12~24V；0.1A/點(diǎn)；2A/公共端。
OFF時(shí)漏電流：0.1mAQ06UDEHCPU手冊。
應(yīng)答時(shí)間：1ms。
32點(diǎn)1個(gè)公共端。
源型。
40針連接器。
帶熱防護(hù)。
帶浪涌吸收器。
帶保險(xiǎn)絲。
借助采樣跟蹤功能縮短啟動(dòng)時(shí)間
利用采樣跟蹤功能，方便分析發(fā)生故障時(shí)的數(shù)據(jù)，
檢驗(yàn)程序調(diào)試的時(shí)間等，可縮短設(shè)備故障分析時(shí)間和啟動(dòng)時(shí)間Q06UDEHCPU
此外，在多CPU系統(tǒng)中也有助于確定CPU模塊之間的數(shù)據(jù)收發(fā)時(shí)間Q06UDEHCPU手冊。
可用編程工具對收集的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，
并以圖表和趨勢圖的形式方便地顯示位軟元件和字軟元件的數(shù)據(jù)變化。
并且,可將采樣跟蹤結(jié)果以GX LogViewer形式的CSV進(jìn)行保存，
通過記錄數(shù)據(jù)顯示、分析工具GX LogViewer進(jìn)行顯示Q06UDEHCPU手冊。
高速處理，生產(chǎn)時(shí)間縮短，更好的性能。
隨著應(yīng)用程序變得更大更復(fù)雜，縮短系統(tǒng)運(yùn)行周期時(shí)間是非常必要的。
通過高的基本運(yùn)算處理速度1.9ns，可縮短運(yùn)行周期。
除了可以實(shí)現(xiàn)以往與單片機(jī)控制相聯(lián)系的高速控制以外，
還可通過減少總掃描時(shí)間，提高系統(tǒng)性能，
防止任何可能出現(xiàn)的性能偏差Q06UDEHCPU(結(jié)構(gòu)化文本(ST))。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無法實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時(shí)需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴(kuò)展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個(gè)連續(xù)的文件寄存器，
容量多可達(dá)4736K字，從而簡化了編程Q06UDEHCPU(結(jié)構(gòu)化文本(ST))。
因此，即使軟元件存儲(chǔ)器空間不足，
也可通過安裝擴(kuò)展SRAM卡，方便地?cái)U(kuò)展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存器擴(kuò)展到了32位，從而使編程也可越了傳統(tǒng)的32K字，
并實(shí)現(xiàn)變址修飾擴(kuò)展到文件寄存器的所有區(qū)域Q06UDEHCPU(結(jié)構(gòu)化文本(ST))。
另外，變址修飾的處理速度對結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的運(yùn)算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時(shí)，可縮短掃描時(shí)間。電纜長10米。
用于連接擴(kuò)展基板。GI-62.5/125光纜。
雙環(huán)。
遠(yuǎn)程I/O網(wǎng)(遠(yuǎn)程I/O站)。SRAM+E2PROM存儲(chǔ)卡。
RAM容量：256KB。
E2PROM容量：256KB。升級版本。
控制軸數(shù)：大32軸。
手動(dòng)脈沖發(fā)生器操作功能：可使用3臺(tái)手動(dòng)脈沖發(fā)生器。
同步編碼器操作功能：可使使用12臺(tái)同步編碼器Q06UDEHCPU編程指南手冊。
外圍設(shè)備I/F：通過PLC CPU。
多CPU構(gòu)筑的的高速運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)Q06UDEHCPU手冊。
多CPU系統(tǒng)基于Q系列PLC。
根據(jù)不同的應(yīng)用場合靈活選擇PLC CPU和運(yùn)動(dòng)CPU。
在構(gòu)筑多CPU系統(tǒng)時(shí)，多可擁有4臺(tái)CPU。
當(dāng)使用3臺(tái)Q173DCPU時(shí)，大可控制96軸。