SRAM存儲(chǔ)卡。
RAM容量：2MB。輸入電壓范圍：AC100-120V/AC200-240V。
輸出電壓：DC5V。
輸出電源：8.5A。
簡(jiǎn)化程序調(diào)試
可使用帶執(zhí)行條件的軟元件測(cè)試功能，在程序上的任意步，
將軟元件值更改為用戶(hù)值QY10怎么調(diào)試。
以往在調(diào)試特定回路程序段時(shí)，需要追加設(shè)定軟元件的程序，
而目前通過(guò)使用本功能，無(wú)需更改程序，即可使特定的回路程序段單獨(dú)執(zhí)行動(dòng)作QY10
因此，不需要單獨(dú)為了調(diào)試而更改程序，調(diào)試操作更簡(jiǎn)單。
自動(dòng)備份關(guān)鍵數(shù)據(jù)
將程序和參數(shù)文件自動(dòng)保存到無(wú)需使用備份電池的程序存儲(chǔ)器（Flash ROM）中，
以防因忘記更換電池而導(dǎo)致程序和參數(shù)丟失QY10怎么調(diào)試。
此外，還可將軟元件數(shù)據(jù)等重要數(shù)據(jù)備份到標(biāo)準(zhǔn)ROM，
以避免在長(zhǎng)假期間等計(jì)劃性停機(jī)時(shí)，
這些數(shù)據(jù)因電池電量耗盡而丟失。
下次打開(kāi)電源時(shí)，備份的數(shù)據(jù)將自動(dòng)恢復(fù)。
通過(guò)軟元件擴(kuò)展，更方便創(chuàng)建程序。
位軟元件的M軟元件和B軟元件多可擴(kuò)展到60K點(diǎn)，使程序更容易理解。大控制軸數(shù)：16軸。
與伺服放大器的連接方式：SSCNETⅢ/H連接型。
驅(qū)動(dòng)單元間的大連接距離：100m。
運(yùn)算周期：0.88ms，1.77ms。
插補(bǔ)功能：線性插補(bǔ)（大4軸）,2軸圓弧插補(bǔ)。
色標(biāo)檢測(cè)信號(hào)：4點(diǎn)。
色標(biāo)檢測(cè)設(shè)置：16設(shè)定。
即使是定位控制外，還支持速度度/轉(zhuǎn)矩控制和同步控制QY10怎么調(diào)試。
使用“簡(jiǎn)易運(yùn)動(dòng)模塊設(shè)置工具”，
可輕松地執(zhí)行定位設(shè)置、監(jiān)視及調(diào)試等動(dòng)作。
此外，還可以波形圖形式收集和顯示與運(yùn)動(dòng)控制器同步的數(shù)據(jù)。
SSCNET Ⅲ /H 連接節(jié)省了配線，站間連接距離大可達(dá) 100m，
可輕松地支持對(duì)位置系統(tǒng)。
通過(guò)伺服放大器輸入上限限位開(kāi)關(guān)、下限限位開(kāi)關(guān)和近點(diǎn)擋塊信號(hào)，
從而大幅度地減少配線。
除定位控制和速度控制外，還可執(zhí)行同步控制、凸輪控制、轉(zhuǎn)矩控制、碰壓控制等處理。
定位模塊（ QD75MH）的工程和順序程序與以往的舊型號(hào)高度兼容，
可方便地用于簡(jiǎn)易運(yùn)動(dòng)模塊（ QD77MS）的工程。應(yīng)用：擴(kuò)展用。
適合安全標(biāo)準(zhǔn)：EN954-1類(lèi)別4，ISO13849-1 PLe。
安全輸入點(diǎn)數(shù)：1點(diǎn)。
使用專(zhuān)用設(shè)定監(jiān)工具直觀地進(jìn)行配置QY10用戶(hù)手冊(cè)。
構(gòu)成設(shè)定使用豐富的組件可輕松、快捷地設(shè)定硬件構(gòu)成。
創(chuàng)建邏邏輯對(duì)于安全設(shè)備，通過(guò)使用自動(dòng)生成的標(biāo)簽的FB可以方便地創(chuàng)建邏輯QY10用戶(hù)手冊(cè)。
邏輯的導(dǎo)入和導(dǎo)出。
可以只把對(duì)輸入輸出模塊的連接設(shè)定和通過(guò)功能塊創(chuàng)建的應(yīng)用邏輯作為一個(gè)設(shè)定文件進(jìn)行存儲(chǔ)，
或者從已保存設(shè)定文件進(jìn)行讀取。