SRAM+E2PROM存儲(chǔ)卡。
RAM容量：128KB。
E2PROM容量：128KB。三相3線式。
測(cè)量電路數(shù)：4個(gè)電路。
測(cè)量項(xiàng)目：耗電量（消耗、再生）、電流、電壓、功率、功率因素等Q172DCPU參數(shù)設(shè)置。
可簡(jiǎn)單地測(cè)量多種能量信息的電能測(cè)量模塊產(chǎn)品群。
僅用一個(gè)模塊，即可測(cè)量與電量（消耗及再生）、無(wú)功電量、電流、電壓、功率、功率因數(shù)以及頻率有關(guān)的各種詳細(xì)信息Q172DCPU
無(wú)需梯形圖程序即可持續(xù)監(jiān)視小值和大值，亦可執(zhí)行2種類型的上限/下限報(bào)警Q172DCPU參數(shù)設(shè)置。
只有在ON狀態(tài)期間，才可測(cè)量輸出設(shè)備所使用的電量。
因此可獲得設(shè)備運(yùn)行期間的電量以及節(jié)拍單位內(nèi)的電量。
在一個(gè)插槽中使用3相3線式產(chǎn)品多可測(cè)量4個(gè)電路，
使用3相4線式產(chǎn)品多可測(cè)量3個(gè)電路，
因此通過多電路型產(chǎn)品可在較小空間中實(shí)施電能測(cè)量Q172DCPU參數(shù)設(shè)置。
例如，可使用一個(gè)模塊測(cè)量來(lái)自控制面板干線的其他負(fù)載。
此外，可使用GX Works2 （ 1.90U版和更高版本），輕松地設(shè)置參數(shù)。AC輸入：32點(diǎn)。
額定電流電壓：AC100～120V，10mA(AC100V,60Hz)。
響應(yīng)時(shí)間：25ms。
輸入形式：32點(diǎn) 1個(gè)公共端Q172DCPU(結(jié)構(gòu)化文本)。
外部接線連接方式：38點(diǎn)端子臺(tái)（端子臺(tái)另售）。
替換型號(hào)：AX11。輸入輸出點(diǎn)數(shù)：4096點(diǎn)。
輸入輸出元件數(shù)：8192點(diǎn)。
程序容量：260 K步。
處理速度：0.0095 μs。
程序存儲(chǔ)器容量：1040 KB。
支持USB和RS232。
支持安裝記憶卡。
多CPU之間提供高速通信Q172DCPU(結(jié)構(gòu)化文本)。
縮短了固定掃描中斷時(shí)間，裝置化。
固定周期中斷程序的小間隔縮減至100μs。
可準(zhǔn)確獲取高速信號(hào)，為裝置的更加化作出貢獻(xiàn)。
通過多CPU進(jìn)行高速、機(jī)器控制。
通過順控程序的直線和多CPU間高速通信（周期為0.88ms）的并列處理，實(shí)現(xiàn)高速控制Q172DCPU(結(jié)構(gòu)化文本)。
多CPU間高速通信周期與運(yùn)動(dòng)控制同步，因此可實(shí)現(xiàn)運(yùn)算效率大化。
此外，新的運(yùn)動(dòng)控制CPU在性能上是先前型號(hào)的2倍，
確保了高速、的機(jī)器控制。連接讀寫2ch。
ID系統(tǒng)接口模塊。
ID控制器BIS M-688-001/002是可直接安裝到Q系列的基板上，
通過可編程控制器指令讀寫ID標(biāo)簽數(shù)數(shù)據(jù)的控制模塊Q172DCPU編程手冊(cè)。
BIS M-688-002的梯形圖與QD35ID1/2兼容容Q172DCPU參數(shù)設(shè)置。
可連接2個(gè)天線，還可同時(shí)進(jìn)行2通道的并行處理。
可使用BIS M系列的所有ID標(biāo)簽。
巴魯夫ID系統(tǒng)/BIS系列是可利用電磁結(jié)合方式讀寫數(shù)據(jù)的工業(yè)自動(dòng)化ID系統(tǒng)。
ID標(biāo)簽具有多種尺寸和存儲(chǔ)容量。