模擬量輸入點(diǎn)數(shù)：4點(diǎn)。
信號(hào)范圍選擇：每個(gè)輸入單獨(dú)設(shè)定。
信號(hào)范圍：1～5V、0～5V、0～10V、-10V～10V、4～20mA。
外部連接：可拆卸端子塊。
在1個(gè)單元中多可存儲(chǔ)16個(gè)模擬量輸入信號(hào)CP1E-N30S1DT1-D手冊(cè)。
其功能包括線(xiàn)路斷線(xiàn)檢測(cè)、峰值保持以及平均值處理。輸入擴(kuò)展I/O單元。
輸入：8點(diǎn)。
連接器（富士通產(chǎn)）CP1E-N30S1DT1-D
需要I/O連接器數(shù)：1個(gè)CP1E-N30S1DT1-D手冊(cè)。
輸入：DC24V，8點(diǎn)。
輸出：-。
開(kāi)關(guān)量?jī)H有兩種相反的工作狀態(tài)，
例如高電平和低電平，繼電器線(xiàn)圈的通電和斷電，
觸電的接通和斷開(kāi)，PLC可以直接輸入和輸出開(kāi)關(guān)量信號(hào)。
有的PLC將開(kāi)關(guān)量稱(chēng)為數(shù)字量。
開(kāi)關(guān)量不是通電，就是斷電，或稱(chēng)為0和1，0代表通電，1代表斷電。
例如，按鈕，開(kāi)關(guān)，時(shí)間繼電器，過(guò)電流壓力繼電器，
這類(lèi)屬于輸入，輸出的有接觸器，繼電器，電磁閥等CP1E-N30S1DT1-D手冊(cè)。標(biāo)準(zhǔn)型。
電源規(guī)格：AC100～240V。
輸入點(diǎn)數(shù)：8點(diǎn)。
輸出點(diǎn)數(shù)：6點(diǎn)。
輸出型：繼電器。
程序容量：2K步。
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量：2K字。
使下一個(gè)輸入的接點(diǎn)、線(xiàn)圈、操作數(shù)的地址遞增1并作為默認(rèn)值顯示，
因而可輕松輸入連續(xù)地址CP1E-N30S1DT1-D(指令參考)。
即使光標(biāo)位于其它指令上，增加指令時(shí)也會(huì)自動(dòng)空出該指令的空位。
脈沖輸出功能僅晶體管輸出型。
使用100kHz、2軸脈沖輸出功能實(shí)現(xiàn)定位控制。
高速計(jì)數(shù)器功能。
使用100kHz(單相)2軸和10kHz(單相)4軸的高速計(jì)數(shù)器功能，
即使是多軸控制，也可通過(guò)1臺(tái)設(shè)備實(shí)現(xiàn)CP1E-N30S1DT1-D(指令參考)。cmos-ram單元：電容器備份。
UM：3K字；
DM：1K字。
CPU有一個(gè)安裝存儲(chǔ)器盒的艙。
存儲(chǔ)器盒作為RAM和CPU內(nèi)置RAM共同工作。
可選用EEPROM和EPROM存儲(chǔ)器盒。
要將程序?qū)懭隕PROM，請(qǐng)使用標(biāo)準(zhǔn)PROM寫(xiě)入器CP1E-N30S1DT1-D(指令參考)。
在EPROM存儲(chǔ)器盒裝入CPU之前，先將EPROM連接至EPROM存儲(chǔ)器盒內(nèi)。
若將EPROM存儲(chǔ)器盒從CPU上拆下，不會(huì)丟失它的數(shù)據(jù)。回路數(shù)：2回路。
溫度傳感器輸入：熱電偶輸入（R、S、K、J、T、E、B、N、L、U）。
控制輸出：加熱 ：電壓輸出（脈沖） 冷卻 ：集電極開(kāi)路NPN輸出（脈沖）。
熱/冷溫度控制單元用一個(gè)單元實(shí)現(xiàn)二個(gè)回路的冷卻/加熱控制。
熱/冷溫度控制單元用所連接的溫度傳感器（熱電偶或熱電阻）測(cè)量物物體的溫度，
并按預(yù)置的控制模式進(jìn)行加熱和冷卻CP1E-N30S1DT1-D參考手冊(cè)。
采用先進(jìn)的PIDD和自適應(yīng)性能獲得穩(wěn)定的溫度控制CP1E-N30S1DT1-D手冊(cè)。
可以選擇ON/OFF控制。
一個(gè)單元有二個(gè)熱/冷控制回路。
加熱器燒斷可利用小2.5A電流差快速檢測(cè)，
燒斷檢測(cè)設(shè)定范圍0.1~49.9A，有助于故障快速排除。